Xotira mikrosxemalari va ularni qo'llanishi

Xotira mikrosxemalari va ularni kullanishi R Ye J A : 1. Xotira qurilmalari turlari. 2. SRAM va DRAM larni imkoniyat va kamchiliklari. 3. Xotira qurilmalari xarakteristekalari. Personalp Komppyuterlada operativ xotirlash qurilmalarni (RAM) ikki turi ishlatiladi. Birnchisi statik (SRAM-Statik RAM) va dinamik (DRAM-Dynamic RAM). Statistik xotira qurilmalarini yacheykalari ikki tugun holatda tura oladigan turli variantlarda yasalgan triggerlardan iborat. Bu triggerlar ixtiyoriy bir tugun holatda istagancha vakit tura oladi. Fakat bu xollarda qurilmaga elektr manbai (energiyasi) berilib turishi kerak. Statistik mikrosxema yacheykasi adresiga murojat kilinganda unga adres tulasicha berilib, ichki deshifrator yordamida signalga aynaltirilib, aniq yacheykaga uzatiladi. Bunday tildagi xotira yacheykalari yacheykasi juda qisqa ishga tushish vaqtiga (birnecha un na nosekund) ega, bu mikrosxemalar juda oz solishtirma zichlikga (bitta korpusga M bit atrofida) va katta elektr energiyasini istemol qiladi. Shuning uchun bu prinsipda ishlovchi xotira asosan bufer xotira (kesh-xotira) sifatida foydalaniladi. Dinamik xotirlash qurilmalari malum joyda elektr zaryadini yigilishi prinsipida ishlaydi. U statistik xotira triggerlariga nisbatan oz joy egallaydi va deyarli elektr energiyasini informatsiya saqlash jarayonida ishlatmaydi. Informatsiyani xotira yacheykasiga yozishda bir necha mili sekund ichida zaryad tuplanadi va juda qisqa vaqt saqlanadi. Xotira yacheykasida bitni doimo saklab turish uchun yacheykani regeneratsiya-qayta yozib turish kerak. Dinamik xotira mikrosxemalari yacheykalari turi turtburchak sifatidagi matritsa sifati tashkil etilgan. Mikrosxemaga birinchi murojat kilinganda RAS (ROW Address Strob-ustun adressi stobi) signali orqali mikrosxema kirishiga satr adresi beriladi. Keyin CAS (Column Address Strob-ustun adressi stobi) signali orqali mikrosxema kirishiga ustun adresi beriladi. Xar safar biror yacheyka satri adresiga murojat kilinganda, tanlangan katordagi barcha yacheykalar qayta regeniratsiya kelinadi. Shuning uchun xotira barcha yacheykalarini regeniratsiya qilish uchun bircha yacheykalar katoriga murojat qilish etarli. Dinamik xotira yacheykalari katta ishga tushish vaqtiga esa, lekin solishtirilsa zichligi katta (unlab Mbit bitta korpusga) va elektr energiyani kam istemol qiladi.Bunday xotira sistemalari Komppyuterda asosiy xotira sifatida kullaniladi. SRAM va DRAM qurilmalarini odatda asinxron qurilmalar deb xam ataladi. Chunki boshqarish signallari va o'qish-yozish ixtiyoriy vaqt momentida bajarilishi mumkin. Lekin signallarni uzatishda ular orasidagi zaruriy oralik vaqti saqlanishi kerak. Bu orlik vaqt (himoyalash vaqti xam deyiladi) signallarni stabilash uchun zarur bo'ladi. Bundan tashqari sinxron ko'rinishli xotiralar xam mavjud. Ular tashqiy sinxron signallarni kabul qiladi. yuqorilardagidan tashqari FRM DRAM(Fost Rage Mode DRAM-tez betma-bet murojatli dinamik xotira). Bu tip xotiralarni DRAM dan farq shundaki yacheyka satr adresi topishgandan keyin ko'p marotaba ustun adreslarga murojat kila oladi. CAS dan olib RAS sxemasi kullaniladi. hozirgi zamon mikroprotsessorlari ichki va tashqiy buyruk va berilganlarni buferlari mavjudligi tufayli xotira yacheykalariga so'zlar bloki ...