Yarimo'tkazgichli xotira qurilmalari

Yarimo'tkazgichli xotira qurilmalari Reja: 1.Sinflanish va asosiy parametrlari 2.Statik operativ xotira 3.Dinamik operativ xotira Yarimo'tkazgichli xotira qurilmalari (XQ). Elektron hisoblash mashinalarida (EHM) raqamli informatsiyalarni xotirada saqlovchi qurilmalar ishlatiladi. Bularga magnit lentalari, magnit disklari va barabanlariga yozilgan-axborotlar bilan ishlovchi qurilmalarni ko'rsatish mumkin. Ushbu bo'limda keng qo'llaniladigan yarim o'tkazgichli xotira qurilmalari bilan tanishiladi. Ularda xotira yacheykalari sifatida diodlar, bipolyar va unipolyar tranzistorlar ishlatiladi. Informatsiyani saqlash muddatiga ko'ra, xotira qurilmalari doimiy xotira qurilmalari (DX) va operativ xotira qurilmalari (OX) ga bo'linadi. DX larda informatsiya uzoq vaqt saqlanib, qurilma tok manbaidan uzilganda ham axborot saqlanib qoladi. OX larda esa informatsiya EHM ishlab turgan davrdagina yozilishi va saqlanishi mumkin. 13.1-rasm. Adresi uch razryadli bo'lib matritsaning gorizantal o'tkazgichlarga beriladigan DYeS sxemasi. Doimiy xotira qurilmalari. 13.1-rasm sakkiz qator va to'rt ustunga ega bo'lgan diod matritsali xotira qurilmasi keltirilgan. Deshifrator adresi kirishlari ABS larga berilgan adresli so'z uning chiqishlaridan birida birlik kuchlanish hosil qiladi. Masalan, 00 adres so'zi berilganda X0 chiqishda kuchlanish hosil qiladi. Diodli matritsaning hamma yacheykalarida diodlar mavjud bo'lib, bahzilari uzilgan bo'ladi. Ketma-ket ulangan eruvchan o'tkazgich yozish paytida kuyib uzilishi mumkin. Agar 001 adresli buyruq berilsa, gorizontal X1 o'tkazgichda hamda VD13, VD11 va VD10 diodlar Y3, Y1, Y0 chiqishlarda kuchlanish hosil qiladi. Bu esa vertikal chiqish o'tkazgichlarida 1011 degan to'rt xonali so'zning yozilishiga mos keladi. Odatda, diodli xotira yacheykalari o'rnida, r va n kanalli MDP va KMDP li maydon tranzistorlari ishla-tiladi. MDP tranzistorlar ishlatilganda X0 - X7 gorizontal o'tkazgichlarga tranzistorlarning istoki yerga, stoki esa matritsaning 0 - 3 vertikal simlariga ulanadi. Rezistorlarning uchlari esa tok manbaiga ulanadi. 13.2-rasm. Adresi besh razryadli bo'lib, matritsaning gorizontal va vertikal o'tkazgichlarga beriladigan DYeS sxemasi. 13.2-rasmdagi DX matritsasida adreslar ikki qismga bo'lingan bo'lib, ular matritsaning ham gorizontal, ham vertikal simlariga berilishi mumkin. Xotirani bunday tashkil qilish adreslar soni ko'p bo'lganda qulaydir. Xotira yacheykalari sifatida HAM - EMAS sxemasini ikkita kirishini X va Y simlariga sxemalarning chiqishlari parallel ulanadi. Xotira yacheykasiga informatsiyani yozish turli usulda: masalan, HAM - EMAS sxemasi kirishidagi emitter uchlarini kuydirish orqali amalga oshirilishi mumkin. Qurilma quyidagicha ishlaydi. Adres deshifrovka qilingandan so'ng matritsaning bitta gorizontal va bitta vertikal o'tkazgichlarida kuchlanish hosil bo'ladi. Bu esa HAM - EMAS sxemasining umumiy chiqishida 0 yoki 1 paydo bo'lishiga olib keladi. 0 yoki 1 hosil bo'lishi emitter kirishi kesishish nuqtasiga ulangan yoki ulanma-ganligiga bog'liq. Umuman olganda, bitta matritsa har bir adres uchun bir xonadagi axborotni saqlay oladi. Shu bois xotiraga n - xonali so'zni yozish uchun n - matritsa kerak bo'ladi. keltirilgan DX ...