Maydonli tranzistorlar

Maydonli tranzistorlar Maydonli tranzistorlarning tuzilishi va ishlash prinsipi. Maydonli tranzistorlar-chiqish toki kirish kuchlanishi bilan boshqariladigan yarim o'tkazgichli asbob. Maydonli tranzistorlarda chiqish tokiga ta'sir qiluvchi kirish kuchlanishi hosil kiladigan elektr maydon orqali boshqarilishini bildiradi. Bipolyar tranzistorlarda ikki xil - asosiy va asosiy bo'lmagan zaryad tashuvchilar muhim rolg' uynasa, maydonli tranzistorlarda esa tok asosiy tok tashuvchilar hisobida hosil kilinib, asosiy bo'lmagan tok tashuvchilar muhim rolg' uynaydi Shu sababli maydonli tranzistorlar unipolyar tranzistorlar xam deyiladi. Maydonli tranzistorlad tokni boshqarish elektr maydon vositasida boshqariladigan uzgarmas tok va past chastotali uzgaruvchan toklar uchun kirish qarshiligi katta bo'ladi: 108 1015 om. Kirish qarshiligi kichik bo'lishi zarur xollarda bipolyar tranzistorlar kullaniladi. Maydonli tranzistorlar bipolyar tranzistorlarga nisbatan sodda va mikrosxemalarda kam yuzani egallaydi. Maydonli tranzistorlar tayyorlanish texnologiyasiga ko'ra ikki gruppaga bulinadi: boshqariladigan r-n utishli va zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar. boshqariladigan r-n utishli tranzistorlar eng sodda maydonli tranzistor bo'lib, unda tranzistor n+ yoki r- o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan kristaldan tayyorlanadi. Kristalning qarama qarshi tomonlaridan ulanish uchlari chikib, ulardan biri istok(upkon) deb ataladi. Istok va stok oraligidagi qatlam kanal deb yuritiladi va unga diffuziya usuli bilan R-soha (n-o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan kristalda) joylashtiriladi. Shuning uchun stokka istokka nisbatan musbat kuchlanish berilsa, asosiy tok tashuvchilar, yani elektronlar stokka tomon harakat qiladi. 1-rasm. boshqariladigan R-P utishli maydon trazistori Savol. Maydonli tranzistor deb nimaga aytiladi? Zatvorga kuchlanish xamma vaqt teskari kuchlanishda beriladi, chunki r-n utish yopilishi kerak. Kurilayotgan holda zatvorgaistokka nisbatan manfiy kuchlanish berilgan. Shuning uchun r-n utish qatlami kengayib, kanalni toraytiradi. Yani Ye3 manba kuchlanishini o'zgarish hisobiga kanalning kesimi uzgartiriladi. Bu undan o'tayotgan elektorn oqimining miqdori o'zgarishiga, yani tokning boshqarilishiga olib keladi. Tranzistor orqali utuvchi tok nolga teng yoki malum belgilangan qiymatgacha kamayadigan zatvor-istok kuchlanishi ajratish kuchlanishi deyiladi. R - kanalli tranzistorlarda bu kuchlanish nisbat bo'lib, odatda 0,2 - 7 V oraligida bo'ladi. Zatvori izolyatsiyalangan tranzistorlarda esa metaldan yasalgan zatvor asos qatlam - kanaldan dielektrik modda bilan ajratilgan bo'ladi. Shuning uchun bunday tranzistorlar (metall dielektrik-provodnik)MDP turdagi maydonli tranzistorlar xam deb ataladi. Kupincha dielektrik sifatida (SiO2) kremniy oksidi olinadi. MDP-turdagi tranzistorlar kuyidagicha tuzilishda bo'lib, unda xam stop toki zatvor kuchlanishi orqali boshqavriladi. Zatvor bilan asos yarim o'tkazgich orasida elektr maydoni kuchlanganligining yo'nalishiga karab, asosiy tok tashuvchilari yo asos yarimo'tkazgichning sirtiga yoki xajmiga tortiladi. Agar asosiy tok tashuvchilar asos yarim o'tkazgichning sirtiga tortilsa , sirt qatlam-o'tkazuvchanlik kanalining o'tkazuvchanligi ortadi, xajm ichiga tortilganda esa , u kamayadi. Birinchi turda ishlaydigan tranzistorlar boyitilgan turda, ikkinchi turdagilar esa, kambagallashtirilgan rejimda ishlaydigan tranzistorlar deyiladi. Umuman MDP turdagi tranzistorlarning ishlash prinsipi ...