Integral injeksion mantiq

Integral injeksion mantiq Reja: IIM ME sxemasi IIM negiz elementning prinsipial sxemasi va topologiya qirqimi 11.1.-rasm. IIM negiz elementning prinsipial sxemasi va topologiya qirqimi Element VT1 (p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan. VT1 tranzistor kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega bо'lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi. IIM turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbai bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta'minlaydi. Bunday tok bilan ta'minlovchi qurilma injektor toki qiymatini, keng diapazonda о'zgartirib uning tezkorligini о'zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor toki 1 nA ÷ 1 mAgacha о'zarishi mumkin, ya'ni VT1 tranzistor EО'idagi kuchlanishni ozgina orttirib (har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga о'zgartirish mumkin. IIM IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi, u о'z navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanad. n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning о'zida p-n-p turli tranzistorni kollektori bо'lib hisoblanadi. Elementlarning bunday tayyorlanishi funksional integratsiya deyiladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalarni izolyatsiya qilishga (TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. IIM elementi rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi. 11.2.-rasm. IIM negiz elementning shartli belgilanishi Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri 11.3.-rasm. Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri sxemasi kо'rinishi Sxemadan foydalanib 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin. IIM sxemalar tezkorligi injeksiya toki II ga kuchli bog'liq bо'lib, tok ortgan sari ortadi. Bu vaqtda AQU ozgina ortadi va 4÷0,2 pDjni tashkil etadi. Element qayta ulanishining о'rtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, ya'ni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quvvat iste'moli 1-2 tartibga kichik bо'ladi. Mantiqiy о'tish kichikligi tufayli IIM elementining xalaqitbardoshligi ham kichik (20÷50 mV) bо'ladi. Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va О'KISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qо'llaniladi. I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba YEM dan energiya iste'mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi. ...