IMS chiqish kaskadlari

IMS chiqish kaskadlari

O'quvchilarga / Fizika
IMS chiqish kaskadlari - rasmi

Material tavsifi

6 ma'ruza IMS chiqish kAsqadlari IMS chiqish kAsqadlari Kuchaytirgichlarning chiqish kAsqadlari (ChK) yuklamada 0,01÷100 Vt bo'lgan etarlicha katta quvvatni ta'minlashi zarur. ChKlari kuchlanish manbaining asosiy quvvatini istemol qiladilar. Shuning uchun, FIKni oshirish maqsadida sokinlik rejimida (yani signal bo'lmagan holda) kAsqadning toki nolga yaqin bo'lishi maqbul. Emitter qaytargich turdagi bir taktli ChKlar A sinf rejimida va FIKning kichikligi sababli chiqish quvvatining kichik qiymatlarida ishlaydi. Chiqish quvvati katta ChKlarda faqat ikki taktli kuchaytirgich kAsqadlar ishlatiladi. Bunday kuchaytirgichlar V va AV sinf rejimlarida tranzistorlarning ketma-ket ishlashi bilan ta'minlanadi. V sinfiga mansub ikki taktli kuchaytirgich sxemasi Sxemada absolyut qiymatlari teng + Yem va - Yem ikki qutbli kuchlanish manbalari ishlatilgan. Sokinlik rejimida EO'larda kuchlanish nolga teng bo'lgani uchun ikkala tranzistor berk bo'lib, kuchlanish manbaidan energiya sarflanmaydi. Kirishga UKIR ning musbat yarim davri berilganda VT1 ochiladi va yuklama orqali IE1 tok oqib o'tadi. Manfiy yarim davrda VT2 ochiladi va IE2 tok yuklamadan qarshi yo'nalishda oqib o'tadi. Quvvat kuchaytirilishi faqat tok kuchaytirilishi hisobiga amalga oshib, emitter va baza toklari nisbatiga teng, yani β+1 bo'ladi. Kuchaytirgichning maksimal FIK η = 78,5 % ni tashkil etadi. V sinf kuchaytirgichlardagi nochiziqli buzilishlar AV sinfiga mansub ikki taktli kuchaytirgich sxemasi VT1 va VT2 chiqish tranzistorlarini boshqaruvchi kuchlanishni hosil qilish uchun kuchaytirgichda VT3 asosidagi qo'shimcha kAsqad ishlatilgan. U UE sxemada ulangan. Rezistor R chiqish toki bo'yicha ketma - ket MTA zanjirini hosil qiladi. U kAsqad ish rejimini barqarorlaydi. Bundan tashqari, VT3 tranzistor butun ChK kuchaytirish koeffitsiyentini oshiradi. R qarshilik qiymati shunday tanlanadiki, A nuqta potentsiali, sokinlik rejimida nolga teng bo'lsin. VD1 va VD2 diodlar VT1 va VT2 tranzistorlar parametrlari bir xil bo'lgani uchun V nuqta potentsiali (sokinlik rejimida kAsqadning ChK kuchlanishi) ham nolga teng bo'ladi. VT1 va VT2 tranzistorlar ikki taktli tok kuchaytirgichning elkalarini tashkil etadi. Kirish kuchlanishining har bir yarim davrida yuklama toki kuchaytirgichning o'z elkasi bilan hosil qilinadi. VT4 va VT5 tranzistorlar VT1 va VT2 tranzistorlarni o'ta yuklanishdan saqlash uchun xizmat qiladi. VD1 va VD2 diodlar BTG bilan birgalikda AV sinf ish rejimini ta'minlash uchun siljitish zanjirlarini hosil qiladi. Siljitish zanjirlari VT1 va VT2 tranzistorlarga emitter - baza kuchlanishlarni berish uchun xizmat qiladi. BTG toki I0 signal mavjud bo'lmaganda, diodlardagi kuchlanish pasayishi kichik bo'ladigan qilib tanlanadi, VT1 va VT2 hamda VT4 va VT5 tranzistorlar deyarli berk holatda bo'ladi. KAsqadning chiqish qarshiligi amalda VT2 yoki VT1 tranzistorlarning to'g'ri siljigan EO'lari qarshiligiga teng, yani juda kichik bo'ladi. VT4 va VT5 tranzistorlarning himoyalovchi funksiyalari quyidagicha amalga oshadi. Normal ish rejimida ular berk. ...


Ochish
Joylangan
Bo'lim Fizika
Fayl formati pptx
Fayl hajmi 120.21 KB
Ko'rishlar soni 126 marta
Ko'chirishlar soni 21 marta
O'zgartirgan san'a: 28.03.2025 | 14:29 O'zgarish: pptx fayl yangilangan
Joylangan
Bo'lim Fizika
Fayl formati pptx
Fayl hajmi 120.21 KB
Ko'rishlar soni 126 marta
Ko'chirishlar soni 21 marta
O'zgartirish kiritilgan: O'zgarish: pptx fayl yangilangan
Tepaga