Biqutbiy, bipolyar tranzistorlar

Bikutbiy tranzistorlar Reja: 1.Bikutbiy tranzistorlar haqida tushuncha. 2.Tranzistorlarning ishlash prinsipi. 3.Tranzistorlarning asosiy parametrlari. 4.Ularning V.A.X.lari. Yarim o'tkazgichli diodlar yaratilgandan sung 1948 yilda D.Badin,U.Brattein, U.Shokli tomonidan Amerikali injenerlar germaniyli yarim o'tkazgichli trazistorlar yaratilgan . Ularga ushbu kashfiyoti uchun Nobel mukofoti berilgan .Yarim o'tkazgichli priborlar asosan germaniyli,kremnieli , areenid,galliy,fosfot indiy va shunga o'xshash elementlar asosida yaratiladi. Tranzistorlar yarim o'tkazgichli diodlardan farqli ravishda ularda boshqaruvchi elektrod mavjud va ikkita r-p utishga ega bo'lgan element hisoblanadi yani struktura sxemasini kuydagicha chizib olishimiz mumkin. Uning ikki chekkasiga metall elektrodlar payvand kilinadi.2 xil o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan yarim o'tkazgichlar shu elektrodlar chegarasiga joylashtiriladi. Bizga malumki, yarim o'tkazgichlar ikki xil o'tkazuvchanlika ega bo'ladi Elektron o'tkazuvchanlik . Kovak o'tkazuvchanlik Elektron o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan yarim ukazgichlarda ularning kristall panjara tugunlarida ortikcha erkin elektronli bo'ladi.Bu elektron kristall panjara tugunlariga kuchsiz boglangan bo'ladi. Kovak o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan yarim o'tkazgichlarda esa kristall panjara tugunlarida 1ta elektron etishmaydi,uni o'rni bush bo'ladi Yarim o'tkazgichli tranzistorlarning ichki tuzilishiga ko'ra 2 xil turga bo'lish mumkin. 1 p-r-p 2.r-p-r tipidagi tranzistor: Belgilanishi: bu yerda b-baza, k-kollektor, e-emitter elektrodlari deyiladi. Tranzistorlarda kollektor tokini baza toki orqali boshqarish mumkinligidan ulardan kuchaytiruvchi element sifatida foydalanish mumkin Tranzistorlarning ishlash prinsipi : Buning p-r-p tipidagi tranzistorda ko'rib chiqamiz.Tran zistor kollektor emitter oraligidagi qarshilikni uzgaruvchan qarshilik deb qarash mumkin .Bu qarshilikning o'zgarishi tranzistor bazasiga berilaetgan kuchlanishning qiymatga va yo'nalishiga bog'liq Agarda tranzistorning yani p-r-p ning kollektoriga emitteriga nisbatan manfiy kuchlanish berilsa eki umuman xech qanday kuchlanish berilmasa tranzistor berk holatda bo'ladi. Uning kollektor emitter oraligidan tok utmaydi. Tranzistorning bazasiga emitterta nisbatan musbat kuchlanish berilsa tranzistor ochiq holatga utadi.Undan kollektor emitter utishi bo'yicha tok utadi.Ushbu tokning miqdori tranzistorning bazasiga berilayotgan tok kuchiga bog'liq bo'lib undan bir necha 100 marta katta bo'ladi.Bu narsa tranzistorning kuchaytirish xossasini belgilaydi. R-p-p tipidagi tranzistorning ishlash prinsipi bunga qarama-qarshi bo'ladi,yani tranzistorning kollektoriga emitterga nisbatan manfiy kuchlanish beriladi,uning bazasiga musbat kuchlanish berilsa yoki umuman kuchlanish berilmasa tranzistor berk holatda bo'ladi. Emitterga nisbatan bazaga manfiy kuchlanish berilganda esa tranzistor ochiq holatga utadi,yani kollektor emitter oraligidan tok utadi. Tranzistorlarning asosiy parametrlari: 1.Kollektor- emitter kuchlanishining max qiymati I ke (v) xar bir ishlab chikariladigan tranzistorlar malum bir kuchlanishga muljallanib ishlab chikiladi.M-n KTZ15G tranzistor uchun 40 V gacha emitterga nisbatan kollektorga kuchlanish berish mumkin. 2.Max kollektor toki Jk (MAI A) xar bir tranzistor malum bir tok kuchiga muljallanib ishlab chikiladi. 3.Tranzistor kuchaytirish mumkin bo'lgan uzgaruvchan tok chistotasining max qiymati. 4.Tranzistorda ajralib chikayotgan quvvatning max qiymati RmVt :Vt R=Uk .Ike formula bilan topiladi. Tranzistorni biror ...