BT ulanish sxemalari va fizik parametrlari

BT ulanish sxemalari va fizik parametrlari Reja Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari UE ulanish sxemasidagi BTning statik elektrod xarakteristikalari UB ulanish sxemasidagi BTning statik elektrod xarakteristikalari UK ulanish sxemasidagi BTning statik elektrod xarakteristikalari BTning ulanish sxemalari BTda elektrodlar uchta bo'lgani sababli, uch xil ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB); umumiy emitter (UE); umumiy kollektor (UK). Bunda BT elektrodlaridan biri sxemaning kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy, uning o'zgaruvchan tok (signal) bo'yicha potentsiali esa nolga teng qilib olinadi. BTning ulanish sxemalari BTning UE ulanish sxemasi UE ulanish sxemasidagi BTning statik elektrod xarakteristikalari UE ulanish sxemasidagi BTning statik elektrod xarakteristikalarining temperaturaga bog'liqligi BTning UB ulanish sxemasi UB ulanish sxemasidagi BTning statik elektrod xarakteristikalari BTning UK ulanish sxemasi UK ulanish sxemasidagi BTning statik elektrod xarakteristikalari EO' to'g'ri siljitilganda (UEB ta'minot manbasi hisobiga amalga oshiriladi) uning potentsial bareri pasayadi va elektronlar emitterdan bazaga injeksiyalanadi. Elektronlarning emitterdan bazaga hamda kovaklarning bazadan emitterga injeksiyalanishi hisobiga emitter toki IE hosil bo'ladi: bu yerda IEn, IEr - mos ravishda elektronlar va kovaklar injeksiya toklari. Emitter tokining IEr tashkil etuvchisi kollektor orqali oqmaydi va shuning uchun foydasiz tok hisoblanadi. IEr qiymatini kamaytirish uchun bazadagi aktseptor kiritmalar kontsentratsiyasi qiymati emitterdagi donor kiritmalar kontsentratsiyasiga nisbatan ikki tartib kichik qilib olinadi. Emitter tokida elektronlarning injeksiya toki IEn ulushini injeksiya koeffitsiyenti deb ataluvchi kattalik ifodalaydi. U emitter ishlash samaradorligini belgilab, emitter tokidagi foydali tok ulushini ko'rsatadi Odatda = 0,990-0,995 ni tashkil etadi. Bazaga injeksiyalangan elektronlar, bazada kollektor tomonga diffuziyalanib KO'gacha etib boradi. So'ngra kollektorga ekstraksiyalanadi va kollektor toki IKn ni hosil qiladi. Kollektorga o'tish davomida injeksiyalangan elektronlarning bir qismi baza sohadagi kovaklar bilan uchrashib rekombinatsiyalanadi va ularning kontsentratsiyasi kamayadi. Yetishmovchi kovaklar tashqi zanjir orqali kirib (elektr neytrallik sharti bajarilishi uchun), baza tokining rekombinatsion takshil etuvchisi IBRYeK ni hosil qiladi. IBRYeK qiymati katta bo'lgani uchun uni kamaytirishga harakat qilinadi. Bunga baza kengligini kamaytirish bilan erishiladi. Emitterdan injeksiyalangan elektronlar tokining baza sohasida rekombinatsiya hisobiga kamayishi elektronlarni tashish koeffitsiyenti deb ataluvchi kattalik bilan ifodalanadi Real tranzistorlarda =0,980 ÷ 0,995. Aktiv rejimda tranzistorning KO' teskari yo'nalishda siljitilganligi sababli, kollektor zanjirida xususiy tok IK0 oqadi. U ikki xil noasosiy zaryad tashuvchilarning dreyf toklaridan tashkil topgan. Natijada r-n o'tishning teskari toki amalda teskari kuchlanishga bog'liq bo'lmaydi va xona temperaturasida kremniyli o'tishlarda IK0=10-15 A ni tashkil etadi. Shunday qilib, emitter toki boshqaruvchi, kollektor toki esa boshqariluvchidir. Shuning uchun BT tok bilan borshqariluvchi asbob deyiladi. Etiboringiz uchun raxmat!! ...