Keng polosali kuchaytirgichlar

Keng polosali kuchaytirgichlar ══ Reja: 1. Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi 2. Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar 3. Ko'p bosqichli kuchaytirigichlar 4. Analog integral sxemalarning chiqish bosqichlari (quvvat kuchaytirgichlari) 5. Emitter qaytargich Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o'zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo'yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar. 1. Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. Kuchaytirgich tahlil qilinganda signal manbai yoki qarshilik RG bilan ketma - ket ulangan ideal kuchlanish manbai YeG ko'rinishida (1 a-rasm), yoki qarshilik RG bilan parallel ulangan ideal tok manbai IG ko'rinishida (1 b-rasm) ifodalanishi mumkin. a) b) 1 - rasm. Agar RG va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir - biriga yaqin bo'lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta'sir ko'rsatmaydi. Agar RG kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo'lsa, 1 b-rasmda keltirigan signal manbaidan, aks holda esa 1 a-rasmda keltirigan signal manbaidan foydalanish tavsiya etiladi. Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi 2 - rasmda keltirilgan. Sxemani tahlil qilganda, tranzistor holati kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (3-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi (4.5-rasm) hamda kirish xarakteristikalar oilasi (4.4-rasm) dan foydalanish qulay. 2 - rasm. 3 - rasm. Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki IK ning baza - emitter kuchlanishi UBE ga bog'liqligi eksponentsial funksiya bilan approksimatsiyalanadi . (1) bu yerda - termik potentsial, IKS - proportsionallik koeffitsiyenti bo'lib uning tahminiy qiymati mikroquvvatli kremniyli tranzistorlar uchun T=300 K bo'lganda 10-9 mA tartibga ega bo'ladi. Kirish signali mavjud bo'lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida bo'ladi. Sokinlik rejimida kollektor - emitter kuchlanishining doimiy tashkil etuvchisi . Kirishga o'zgaruvchan kirish signalining musbat yarim davri berilsa, baza toki ortadi va u kollektor toki o'zgarishiga olib keladi. Bu holat uzatish xarakteristikasi (3-rasm) dan ko'rinib turibdi. Kollektor toki IK ning UBE kuchlanishiga bog'liq ravishda o'zgarishi xarakteristika tikligi S bilan ifodalanadi: UKE = const bo'lganda Bu kattalikni (1) ifodadan foydalanib ham topish mumkin: (2) . Shunday qilib, tiklik kollektor tokiga proportsional bo'lib, har bir tranzistorning individual xossalariga bog'liq bo'lmaydi. Shuning uchun bu kattalikni aniqlashda o'lchashlar talab qilinmaydi. Kirish signali ta'siri natijasida RK dagi kuchlanish ortadi, UKE kuchlanish esa kamayadi, yani manfiy yarim davrli chiqish signali shakllanadi. Demak, bunday kuchaytirgich bosqichi chiqish va kirish kuchlanish signallari orasida 180 0 ga faza siljishini amalga oshiradi. Kollektor toki Ik ...