Maydoniy tranzistorni tadqiq etish

Maydoniy tranzistorni tadqiq etish Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va differensial parametrlarini o'rganish, tranzistor ishiga temperaturaning ta'sirini tadqiq etish. 1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko'rish: Laboratoriya ishida tuzilishi va sxemalarda shartli belgilanishi 3.1- rasmda keltirilgani kanali r- turli maydoniy tranzistor tadqiq etiladi. 3.1 - rasm. Stok toki zatvorga kuchlanish berish orqali boshqariladi, yani boshqarilayotgan r-n o'tishga teskari kuchlanish UZI0 beriladi. o'zi dagi berkitish kuchlanishi ortgan sari hajmiy zaryad sohasining kengligi ortib boradi. Natijada berilgan USI kuchlanish qiymatida kanal kengligi kichrayadi, uning qarshiligi RK ortadi, demak stok bilan istok oralig'idagi stok toki IS kamayadi. 3.2- rasmda boshqarish xarakteristikasi IC= f (o'zi) keltirilgan. Boshqaruvchi r-n o'tishning hajmiy zaryad sohasi va asos bilan kanal orasidagi r-n o'tish birikkandagi (stok toki IC nolga teng bo'ladigan) zatvor kuchlanishi qiymati bo'sag'aviy kuchlanish U BO'S deb ataladi. 3.2 - rasm. To'yinish rejimida ishlayotgan maydoniy tranzistor boshqaruv xarakteristikasini quyidagi bog'liqlik bilan approksimatsiyalash qulay. , (3.1) bu yerda maksimal stok toki zatvor - istok kuchlanishi nol IC max - o'zi = 0 ga mos keluvchi boshlang'ich stok toki. Boshqaruv xarakteristikasidan (3.2- rasm) xarakteristika tikligi aniqlanishi mumkin. . (4.1) approksimatsiyadan foydalanilganda tiklik quyidagicha aniqlanadi: , (4.2) Maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasi 3.3 - rasmda keltirilgan. Xarakteristikaning boshlang'ich sohasi (USI ...