Maydonli tranzistorlar haqida umumiy ma'lumot

Maydonli tranzistorlar Reja: 1. Boshkariladigan r-n utishli maydonli tranzistorlar 2. Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar 3. Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar 4. Tranzistorning parametlari Maydonli tranzistor-chikish toki kirish kuchlanishi bilan boshkariladigan yarim o'tkazgichli asbob. Maydonli tranzistorlarda chikish tokiga ta'sir kiluvchi kirish kuchlanishi elektr maydon hosil kiladi. Yukorida keltirilgan bipoyalar tranzistorda ikki xil-asosiy va asosiy bo'lmagan zaryad tashuvchilar muxim rol uynaydi. Maydonli tranzistorlarda tok asosiy tok tashuvchilar yordamida hosil kilinib, asosiy bo'lmagan tok tashuvi zarayad muxim rol uynamaydi. Shu sababli maydonli tranzistor unipoyalar tranzistor deb ham ataladi. Bipoyalar tranzistorda chikish toki baza yoki emitterning kirish toki bilan boshkariladi. Unda kirish qarshiligi kichik bo'ladi. Kirish qarshiligi kichik bulishi zarur bulgan hollarda bipolyar tranzistorni ishlatish mumkin. Lekin ayrim sxemalar kirish qarshiligi katta bulishini takozo kiladi. Maydonli tranzistorlarda tokni boshkarish elektr maydon vositasida boshkarilganidan o'zgarmas tok va past chastotali o'zgaruvchan toklar uchun tranzistorning kirish qarshiligi juda katta bo'ladi: 108-1015 Om. Maydonli tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasi bipoyalar tranzistorlarga nisbatan soddarok. Bundan tashkari, maydonli tranzistorlar mikrosxemalarda kichik yuzani egallaydi va kam tok iste'mol kiladi. Shu sababli kichik ulchamda bir necha mingdan, un minggacha tranzistor va rezistorlarni hosil qilishimkonini beradi. Maydonli tranzistorlar tayyorlanish texnologiyasi va konstruktiv ijrosiga kura, ikki gruppaga bulinadi: boshkariladigan r-n utishli va zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar Boshkariladigan р-n utishli maydonli tranzistorlar. Tranzistor n + yoki р- utkazuvchanlikka ega bulgan kristalldan tayyorlanadi. Kristallning karama-qarshi tomonlaridan ulanish uchlari chikarilib, ulardan biri istok ( bulok), ikkinchisi stok ( upkon ) deb ataladi. Istok va stok oraligiga diffuziya usuli bilan р -soxa (n -utkazuvchanlikka ega bulgan kristallda ) yoki n -soxa (р -utkazuvchanlikka ega bulgan kristallda) joylashtiriladi. Natijada kristallning shu kismida р-n utish vujudga keladi. Tranzistorning istoki va stoki oraligiga Е2 batareya shunday ulanadiki, natijada asosiy tok tashuvchilar istokdan stokka tomon xarakatlanadi. Tok tashuvchi zarayadlar bunda р-n utish orqali emas, balki uning yonidan kanal buylab okadi. Shu jihatidan ham maydonli tranzistordan fark kiladi. Ikkinchi E1 tok manbaini istok va zatvor oraligiga teskari р-n utish hosil bo'ladigan qilib ulaylik. Natijada р va n - orasida mavjud bo'ladigan qilib ulaylik. Bunda zatvor soxasida zaryadlar kontsentratsiyasi kanalga nisbatan katta bulganligidan kambagal soxaning kengayishi asosan kanal tomonda bo'ladi. Natijada tok utkazuvchi kanalning kundalang kesimi kamayadi va shunga muvofiq uning qarshiligi ortadi. Bu esa uz navbatida kanal orqali utuvchi tokning kamayishiga olib keladi. Shunday qilib, zatvor tranzistorda boshkaruvchi elektrod bulib xizmat kiladi. Tranzistor orqali utuvchi tok nolga teng yoki ma'lum belgilangan qiymatgacha kamayadigan zatvor-istok kuchlanishi ajratish kuchlanishi deb ataladi. R-kanalli tranzistorlarda bu kuchlanish musbat bulib, odatda ...