Tranzistor. Tranzistor mantiq integral sxemasini tadqiq etish

Tranzistor - tranzistor mantiq integral sxemasini tadqiq etish Ishning maqsadi: Tranzistor - tranzistor mantiq integral sxemasi elektr parametrlarini tadqiq etish 1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko'rish: Bu ishni bajarishda mantiqiy mikrosxemalar asosiy elektr parametrlarining fizik manosiga va o'lchash uslublariga, hamda tranzistor - tranzistorli mantiq (TTM)ning sxemotexnik xossalariga etibor qaratish kerak. Statik parametrlar uzatish xarakteristikasi (UChIK=f(UKIR)) grafigi yordamida (6.2 - rasm) aniqlanishi mumkin. Avval uzatish xarakteristikasidan (6.1 - rasm) mantiqiy nol U0 va mantiqiy bir U1 sathlari (xarakteristikaning uning ko'zguli aksi bilan tutashgan A va V nuqtalaridan aniqlanadi), so'ngra 6.2 - rasmdagi grafikdan I0KIR i I1KIR aniqlanib olinadi. Grafik yordamida (6.1 - rasm) IMS statik shovqinlarga bardoshligi Un=min (U+n,U-n ) aniqlanadi. (S va D nuqtalarda urinma 45° burchak ostida o'tishini eslatib o'tamiz). 6.1 - rasm. 6.2 - rasm. Mikrosxema tezkorligi signal tarqalishining o'rtacha vaqti bilan aniqlanadi: , bu yerda t0,1kech va t1,0kech - impuls amplitudasining 0,5 darajasida o'lchanadigan, impuls oldi va orqa frontlarining o'rtacha kechiqish vaqti. Mikrosxema tejamkorligi o'rtacha istemol quvvati (nol va bir holatlarda) bilan baholanadi: . Mikrosxemaning intergal sifatini ulanish ishining sun'iy parametri belgilaydi: . Laboratoriya ishida tarkibida 4 ta 2YoKI-EMAS sxemasi bo'lgan K155LAZ yoki K55LAZ mikrosxemasi qo'llaniladi. Tadqiq etilayotgan mikrosxema prinsipial sxemasi, chiqishlarning joylashishi va asosiy elektr parametrlari ilovada keltirilgan. Ishni bajarishga tayyorshgarlik ko'rish jarayonida ilovada keltirilgan IMS sxemasi va parametrlari hisobotga kiritilishi lozim. 2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq: 2.1. Mikrosxemaning uzatish va kirish xarakteristikalarini o'lchash. 2.1.1. K155LA3 mikrosxemada mavjud to'rtta 2 YoKI - EMAS elementlarning ixtiyoriy biridan foydalanib, 6.3 - rasmda keltirilgan sxemani yig'ing (misol tarikasida bir sxemaning chiqishlari tartibi keltirilgan). 6.3 - rasm. IMS kirishlaridan biriga kirish kuchlanishi bering, ikkichisiga (ishlatilmayapganiga) esa manbaning + qutbini ulang. Ye1 kirish kuchlanishini 05 V oarlig'da o'zgartirib borib kirish IKIR=f(UKIR) hamda uzatish xarakteristikasini UChIQ=f(UKIR) o'lchang. O'lchash natijalarini jadvalga kiriting. 2.1.2. UKIR=U0 ≈ 0,4 V bo'lganda va UKIR=U1 2,4 V bo'lganda mos ravishda istemol I0ist. va I1ist. toklarini o'lchang (U0 va U1 sath qiymatlari pasport ko'rsatmalaridan olinadi). 2.2. Mikrosxema yuklama qobiliyatini o'lchash. Oldingi bandda tadqiq etilgan sxemadan foydalaning. IMS kirishiga pasport ko'rsatmasidagi mantiqiy nol qiymatini Ukir=0,4 V bering. IMS chiqishiga yuklama qarshiliklari: RYu=10k Om, 1 kOm, 470 Om, 100 Om berib, yuklama chiqish xarakteristikasini UChIK=f(RYu) o'lchang. 2.3. Mantiqiy mikrosxema tezkorligini tadqiq etish. 6.4 - rasmda keltirilgan sxemani yig'ing. O'lchashni sosnlashtirish maqsadida kechiqish vaqtini uzaytirish maqsadida to'rtta mikrosxema ketma - ket ulangan (olingan natijani to'rtga bo'lish kerakligi yoddan ko'tarilmasin). 6.4 - rasm. Kirish (A nuqta) va chiqish (V nuqta) ga ostsilografni ...