Oddiy va murakkab invertorli TTM

Oddiy invertorli TTM. Murakkab invertorli va Shottki baryerli TTM. Integral-injeksion mantiq Reja: Sodda invertorli TTM ME sxemasi Murakkab invertorli TTM ME sxemasi IIM ME sxemasi 10.1.-rasm. Sodda invertorli TTM ME sxemasi Element ikkita mantiqiy kirishga ega bо'lib, u kо'p emitterli tranzistor (KET) asosida hosil qilingan tok qayta ulagichi va VT1 tranzistorli elektron kalit (invertor)dan tuzilgan. KET TTM turdagi MElarning о'ziga xos komponentasi hisoblanadi. U umumiy baza va umumiy kollektorga ega bо'lgan tranzistorli tuzilmadir. Standart sxemalarda kirishlar (emitterlar) soni KBIRL≤8. TTM elementlar tarkibidagi KET invers rejimda yoki tо'yinish rejimda ishlashi mumkin. Sxemaning statik rejimini tahlil qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan, agar: - p-n о'tish orqali tо'g'ri tok oqib о'tayotgan bо'lsa, u holda о'tish ochiq va undagi kuchlanish U*=0,7 V; - p-n о'tish kuchlanishi teskari, yoki U* dan kichik bо'lsa, u holda о'tish berk va oqib о'tayotgan tok nolga teng; - tranzistor tо'yinish rejimida bо'lsa, u holda kollektor - emitter oralig'idagi kuchlanish U*KE.TО'Y=0,3 ÷ 0,4 V. 10.2.-rasm. Sxemaning statik rejimini tahlil qilish («0» uchun) 10.3.-rasm. Sxemaning statik rejimini tahlil qilish («1» uchun) 10.4.rasm. Murakkab invertorli TTM ME sxemasi Murakkab invertorli TTM sxemasi amaliyotda keng qо'llaniladi. U ikki taktli chiqish kaskadi (VT2 va VT3 tranzistorlar, R4 rezistor va VD diod), boshqariluvchi faza ajratuvchi kaskad (VT1 tranzistor, R2 va R3 rezistorlar) dan tashkil topgan. 10.5.-rasm. Sxemaning statik rejimini tahlil qilish («0» uchun) 10.6.-rasm. Sxemaning statik rejimini tahlil qilish («1» uchun) TTM elementlari potensial elementlar qatoriga kiradi: ular asosida kompyuter sxemalarini tuzishda ular о'zaro galvanik bog'lanadilar, ya'ni kondensator va transformatorlarsiz. Mantiqiy 1 va mantiqiy 0 asimptotik qiymatlari U1 ≥ 2,4 B; U0 ≤ 0,4 B, UQU =U1-U0 =2 V kuchlanishlar bilan ifodalanadi. Yuqorida kо'rib о'tilgan seriyalar funksional va texnik tо'liqlikka ega, ya'ni turli arifmetik va mantiqiy amallarni, xotirada saqlash, yordamchi va maxsus funksiyalarni bajaradi. Asosiy TTM turi bо'lib mantiqiy qо'paytirish inkori bilan ya'ni, HAM-EMAS amalini bajaradigan Sheffer elementi hisoblanadi. Ikki kirishli Sheffer elementi (HAM-EMAS) 10.7.-rasm: HAM-EMAS MEning shartli belgilanishi Integral injeksion mantiq IIM negiz elementning prinsipial sxemasi va topologiya qirqimi 11.1.-rasm. IIM negiz elementning prinsipial sxemasi va topologiya qirqimi Element VT1 (p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan. VT1 tranzistor kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega bо'lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi. IIM turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbai bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta'minlaydi. Bunday tok ...