Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari

Mavzu: Elektronika va sxemalar 2 fani, mazmuni va usullari IMS tayyorlash texnologiyasi. IMS aktiv va passiv elementlari Reja: Funksional elektronika Miroelekktronika Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratildi. IMSlarning hajmi ihcham, og'irligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori bо'lib, hozirgi kunda uch konstruktiv - texnologik variantlarda yaratilmoqda: qalin va yupqa pardali, yarimо'tkazgichli va gibrid. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Mur qonuniga muvofiq bormoqda, ya'ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi elementlar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 106÷109 ta bо'lgan о'ta yuqori (О'YUIS) va giga yuqori (GYUIS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda. Mikroelektronika о'zining yarim asrlik tarixi davomida IMSlar elementlari о'lchamlarini kamaytirish yо'lida rivojlanmoqda. 199 yilda mikroelektronika texnologik ajratishning 100 nmli dovonini yengib nanoelektronikaga aylandi. Hozirgi vaqtda 45 nmli texnologik jarayon keng tarqalgan. Bu jarayon optik litografiyaga asoslanishini aytib о'tamiz. Mikroelektron qurilmalar (IMSlar) yaratishning ananaviy, planar jarayon kabi, usullari yaqin 10 yillik ichida iqtisodiy, texnologik va intellektual chegaraga kelib qolishi mumkin, bunda qurilmalar о'lchamlarini kamaytirish va ularni tuzilish murakkabligining oshishi bilan harajatlarning eksponensial oshishi kuzatiladi. Muammoni nanotexnologiyalar usullarini qо'llagan holda yangi sifat darajasida yechishga tо'g'ri keladi. MDYA tranzistorlarda zatvorosti dielektrigi ananaviy ravishda SiO2 ishlatiladi, 45 nm о'lchamli texnologiyaga о'tilganda dielektrik qalinligi 1 nmdan kichik bо'ladi. Bunda zatvor osti orqali sizilish toki ortadi. Kristalning 1 sm2 yuzasida energiya ajralish 1 kVtga yetadi. Yupqa dielektrik orqali tok oqish muammosi SiO2 ni dielektrik singdiruvchanlik koeffitsiyenti ε katta boshqa dielektriklarga, masalan ε~20÷25 bо'lgan gafniy yoki sirkoniy oksidlariga almashtirish yо'li bilan xal etiladi. Hozirgi kunda telekommunikatsiya va axborotlashtirish tizimining rivojlanish darajasi tom ma'noda mikroelektronika va nanoelektronika maxsulotlarining ularda qо'llanilish darajasiga bog'liq. Integral mikroelektronika rivojining fizik chegaralari mavjudligi sababli, hozirgi kunda an'anaviy mikroelektronika bilan bir qatorda elektronikaning yangi yо'nalishi - nanoelektronika jadal rivojlanmoqda. IMSlarda komponentli tuzilishdan chetlashish va dinamik bir jinslikmaslilardan foydalanishga asoslangan yо'nalish funksional elektronika deb ataladi. Elektronikaning bugungi kundagi zamonaviy yо'nalishlari: Miroelekktronika - iste'mol energiyasini kamaytirish, ishonchliligini orttirish, о'lchamlarini kichraytirishga asoslangan. Optoelektronika - katta sig'imga ega bо'lgan, tyez ishlovchi, yuqori xalaqitlardan muhofaza qilingan tolalar optikasi liniyalarini yaratishda izlanishlar qilinmoqda. Kriogen elektronkia - past (kriogen) temperaturadagi hodisalardan foydalanadi (metall va qotishmalarning о'ta о'tkazuvchanligi, izolyatorlarning dielektrik kirituvchanligining elektr maydonga va boshqalarga bog'liqligi). Magnitoelektronika - bu juda kichik tо'yingan mangnitlanuvchan materiallarning vujudga kelishi, uning asosida yupqa pardali magnit qurilmalar - magnit pardalar, kommunikatsion qurilmalarlar, magnit yarimо'tkazgichlar va h.z.larni ishlab chiqarishga imkon beradi. Bioelektronika - tirik organizmlar tarkibi va hayot faoliyatini insonlar tomonidan о'rganishidagi ma'lum masalalarni yechishga xizmat qiladi. Akustoelektronika - aukstik va pyezoelektrik effektlarni elektr maydon bilang ta'sirlashishiga asoslangan. ...